IRFB4410ZPBF vs IRFB4227PBF Comparação
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Especificações
Pacote
TO-220
TO-220
Descrição
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
65A (Tc)
97A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
24mOhm @ 46A, 10V
9mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
5V @ 250µA
4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
120 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±30V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
4820 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
230W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
