IRFHM792TRPBF vs IRFHM8363TR2PBF

Esta comparação detalhada entre IRFHM792TRPBF e IRFHM8363TR2PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRFHM792TRPBF

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20 PCS | Tecnologias Infineon
IRFHM8363TR2PBF

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5878 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote VDFN-8 VDFN-8
Descrição MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
ProductStatus Last Time Buy Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.3A 11A
RdsOn(Max)@IdVgs 195mOhm @ 2.9A, 10V 14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 10µA 2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6.3nC @ 10V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 251pF @ 25V 1165pF @ 10V
Power-Max 2.3W 2.7W
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Modelo de comparação : IRFHM792TRPBF IRFHM8363TR2PBF

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