IRFHM830TRPBF vs IRFHM792TRPBF
Esta comparação detalhada entre IRFHM830TRPBF e IRFHM792TRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
VDFN-8
Descrição
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Last Time Buy
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 10µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
6.3nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
251pF @ 25V
Power-Max
-
2.3W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRFHM830
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
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Vgs (Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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