IRFHM830TRPBF vs IRFHM792TR2PBF
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Especificações
Pacote
VDFN-8
Descrição
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 10µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
6.3nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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251pF @ 25V
Power-Max
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2.3W
MountingType
-
Surface Mount
Series
HEXFET®
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Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRFHM830
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
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Vgs (Max)
±20V
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Power Dissipation (Max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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