IRFP460PBF vs IRFP4768PBF
Esta comparação detalhada entre IRFP4768PBF e IRFP460PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
TO-247-3
Descrição
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
-
Base Product Number
IRFP4768
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
93A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10880 pF @ 50 V
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Mounting Type
Through Hole
-
Packaging
Tube
-
ProductStatus
-
Last Time Buy
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
210 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
4200 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
280W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
