IRGP35B60PDPBF vs IRGP30B120KDPBF

Esta comparação detalhada entre IRGP35B60PDPBF e IRGP30B120KDPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRGP35B60PDPBF IRGP30B120KDPBF
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
IGBT Type NPT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 60 A 60 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.55V @ 15V, 35A 4V @ 15V, 60A
Power - Max 308 W 300 W
Switching Energy 220µJ (on), 215µJ (off) 1.07mJ (on), 1.49mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 169 nC
Test Condition 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 42 ns 300 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Td(on / off) @ 25°C 26ns/110ns -