IRGP35B60PDPBF vs IRGP30B60KD-EP

Esta comparação detalhada entre IRGP35B60PDPBF e IRGP30B60KD-EP fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification IRGP35B60PDPBF IRGP30B60KD-EP
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
IGBT Type NPT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 60 A 60 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.55V @ 15V, 35A 2.35V @ 15V, 30A
Power - Max 308 W 304 W
Switching Energy 220µJ (on), 215µJ (off) 350µJ (on), 825µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 102 nC
Td(on / off) @ 25°C 26ns/110ns 46ns/185ns
Test Condition 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 42 ns 125 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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