IRLML0030TRPBF vs IRLML6401TRPBF Comparação
Esta comparação detalhada entre IRLML6401TRPBF e IRLML0030TRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
SOT-23
Descrição
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
Active
Base Product Number
IRLML6401
-
FET Type
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
-
Vgs (Max)
±8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
5.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
382 pF @ 15 V
