IRLML6246TRPBF vs IRLML6302TRPBF
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Especificações
Pacote
SOT23-3
Descrição
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRLML6302
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
780mA (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 610mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.6 nC @ 4.45 V
-
Vgs (Max)
±12V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
97 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
540mW (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
4.1A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.1V @ 5µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
3.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
290 pF @ 16 V
PowerDissipation(Max)
-
1.3W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
