ISL2111BR4Z-T vs ISL2100AAR3Z

Esta comparação detalhada entre ISL2111BR4Z-T e ISL2100AAR3Z fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
ISL2111BR4Z-T

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3883 PCS | Renesas Electronics America Inc.
Pacote DFN-8 DFN-9
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ProductStatus Active -
DrivenConfiguration Half-Bridge Active
ChannelType Independent Half-Bridge
NumberofDrivers 2 Independent
GateType N-Channel MOSFET 2
Voltage-Supply 8V ~ 14V N-Channel MOSFET
LogicVoltage-VILVIH 1.4V, 2.2V 9V ~ 14V
Current-PeakOutput(SourceSink) 3A, 4A 3.7V, 7.4V
InputType Non-Inverting 2A, 2A
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) 9ns, 7.5ns 114 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) 10ns, 10ns
MountingType Surface Mount -40°C ~ 125°C (TJ)
Series - Bulk
Modelo de comparação : ISL2111BR4Z-T ISL2100AAR3Z

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