ISL2111BR4Z-T vs ISL2111ARTZ

Esta comparação detalhada entre ISL2111BR4Z-T e ISL2111ARTZ fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
ISL2111BR4Z-T

+Lista de Materiais

3883 PCS | Renesas Electronics America Inc.
ISL2111ARTZ

+Lista de Materiais

7925 PCS | Renesas Electronics America Inc.
Pacote DFN-8 WDFN-10
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 8V ~ 14V 8V ~ 14V
LogicVoltage-VILVIH 1.4V, 2.2V 1.4V, 2.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 3A, 4A 3A, 4A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V 114 V
Rise/FallTime(Typ) 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : ISL2111BR4Z-T ISL2111ARTZ

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