ISL6612ACBZ vs ISL6608CB

Esta comparação detalhada entre ISL6612ACBZ e ISL6608CB fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
ISL6612ACBZ

+Lista de Materiais

5184 PCS | Renesas Electronics America Inc.
ISL6608CB

+Lista de Materiais

5311 PCS | Renesas Electronics America Inc.
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Last Time Buy Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10.8V ~ 13.2V 4.5V ~ 5.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.25A, 2A 2A, 2A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 36 V 22 V
Rise/FallTime(Typ) 26ns, 18ns 8ns, 8ns
OperatingTemperature 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : ISL6612ACBZ ISL6608CB

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