LM311DR vs LM311DE4

Esta comparação detalhada entre LM311DR e LM311DE4 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
LM311DR

+Lista de Materiais

4713 PCS | Texas Instruments
LM311DE4

+Lista de Materiais

2715 PCS | Texas Instruments
Pacote SOIC (D)-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Descrição IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC IC DIFF COMPARATOR STROBE 8-SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
Type General Purpose General Purpose
NumberofElements 1 1
OutputType MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V
Voltage-InputOffset(Max) 7.5mV @ ±15V 7.5mV @ ±15V
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ ±15V 0.25µA @ ±15V
Current-Quiescent(Max) 7.5mA 7.5mA
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : LM311DR LM311DE4

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