LM311DR vs LM311DR2

Esta comparação detalhada entre LM311DR e LM311DR2 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
LM311DR

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4713 PCS | Texas Instruments
Pacote SOIC (D)-8
Descrição IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
Type General Purpose -
NumberofElements 1 -
OutputType MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V -
Voltage-InputOffset(Max) 7.5mV @ ±15V -
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ ±15V -
Current-Quiescent(Max) 7.5mA -
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -
MountingType Surface Mount -
Modelo de comparação : LM311DR LM311DR2

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