LT1013DDR vs LT1013MDREP

Esta comparação detalhada entre LT1013DDR e LT1013MDREP fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
LT1013DDR

+Lista de Materiais

4759 PCS | Texas Instruments
LT1013MDREP

+Lista de Materiais

2275 PCS | Texas Instruments
Pacote 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Descrição IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.4V/µs 0.4V/µs
GainBandwidthProduct 1 MHz 1 MHz
Current-InputBias 18 nA 15 nA
Voltage-InputOffset 90 µV 60 µV
Current-Supply 320µA (x2 Channels) 350µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel - 25 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 5 V 5 V
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V 30 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) -55°C ~ 125°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : LT1013DDR LT1013MDREP

+Lista de Materiais RFQ