MJD45H11RLG vs MJD45H11T4

Esta comparação detalhada entre MJD45H11RLG e MJD45H11T4 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine

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Specification MJD45H11RLG MJD45H11T4
Supplier onsemi -
Part Status Active Active
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 8 A 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max) 1µA 10µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 4A, 1V 40 @ 4A, 1V
Power - Max 1.75 W 20 W
Frequency - Transition 90MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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