MMBFJ108 vs MMBFJ202
Esta comparação detalhada entre MMBFJ202 e MMBFJ108 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
TO-236-3
TO-236-3
Descrição
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
Supplier
Rochester Electronics, LLC
onsemi
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
40 V
25 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
900 µA @ 20 V
80 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
800 mV @ 10 nA
3 V @ 10 nA
Power-Max
350 mW
350 mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Resistance-RDS(On)
-
8 Ohms
