MMBFJ202 vs MMBFJ108

Esta comparação detalhada entre MMBFJ202 e MMBFJ108 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBFJ202 MMBFJ108
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 40 V 25 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 900 µA @ 20 V 80 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 800 mV @ 10 nA 3 V @ 10 nA
Power - Max 350 mW 350 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Rds On - 8 Ohms