MMBT3906LT1 vs MMBT3640

Esta comparação detalhada entre MMBT3906LT1 e MMBT3640 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification MMBT3906LT1 MMBT3640
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 200 mA 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 12 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 400mV @ 5mA, 50mA 600mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 10mA, 1V 30 @ 10mA, 300mV
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 250MHz 500MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max) - 10nA
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
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