MMBT3906LT1 vs MMBT3646

Esta comparação detalhada entre MMBT3906LT1 e MMBT3646 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBT3906LT1 MMBT3646
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi,Flip Electronics,Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 200 mA 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 15 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 400mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 500nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 10mA, 1V 30 @ 30mA, 400mV
Power - Max 225 mW 625 mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Frequency - Transition 250MHz -