MMBTA05LT1G vs MMBTA56LT1G

Esta comparação detalhada entre MMBTA05LT1G e MMBTA56LT1G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification MMBTA05LT1G MMBTA56LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type NPN PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 60 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 10mA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 100mA, 1V 100 @ 100mA, 1V
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 100MHz 50MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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