MMBTA64LT1G vs MMBTA56LT1G

Esta comparação detalhada entre MMBTA64LT1G e MMBTA56LT1G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBTA64LT1G MMBTA56LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type PNP - Darlington PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 30 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1.5V @ 100µA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 20000 @ 100mA, 5V 100 @ 100mA, 1V
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 125MHz 50MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ