NCP5181DR2G vs NCP5111DR2G
Esta comparação detalhada entre NCP5181DR2G e NCP5111DR2G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
SOIC-8
SOIC-8
Descrição
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus
Last Time Buy
Active
DrivenConfiguration
Half-Bridge
Half-Bridge
ChannelType
Independent
Synchronous
NumberofDrivers
2
2
GateType
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH
0.8V, 2.3V
0.8V, 2.3V
Current-PeakOutput(SourceSink)
1.4A, 2.2A
250mA, 500mA
InputType
Non-Inverting
Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise/FallTime(Typ)
40ns, 20ns
85ns, 35ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 125°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
