NTJD4105CT1G vs NTJD4158CT2G Comparação
Esta comparação detalhada entre NTJD4105CT1G e NTJD4158CT2G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
SOT-363
Descrição
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
NTJD4158C - COMPLEMENTARY SMALL
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
Part Status
Active
Active
FET Type
N and P-Channel
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V, 8V
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
630mA, 775mA
-
Rds On(Max) @ Id Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
-
Vgs(th)(Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
46pF @ 20V
-
Power - Max
270mW
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
