SI2301-TP vs SI2302ADS-T1-E3

Esta comparação detalhada entre SI2302ADS-T1-E3 e SI2301-TP fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
SI2302ADS-T1-E3

+Lista de Materiais

7595 PCS | Vishay Siliconix
SI2301-TP

+Lista de Materiais

3274 PCS | Micro Commercial Co.
Pacote SOT-23-3 SOT-23-3
Descrição MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
ProductStatus Obsolete Active
FETType N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.1A (Ta) 2.8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 60mOhm @ 3.6A, 4.5V 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.2V @ 50µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 10 nC @ 4.5 V 14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 300 pF @ 10 V 880 pF @ 6 V
PowerDissipation(Max) 700mW (Ta) 1.25W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : SI2302ADS-T1-E3 SI2301-TP

+Lista de Materiais RFQ