SI4948BEY-T1-E3 vs SI4940DY-T1-E3

Esta comparação detalhada entre SI4948BEY-T1-E3 e SI4940DY-T1-E3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification SI4948BEY-T1-E3 SI4940DY-T1-E3
Supplier - Vishay Siliconix
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 40V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.4A 4.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 120mOhm @ 3.1A, 10V 36mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22nC @ 10V 14nC @ 10V
Power - Max 1.4W 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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