STD10NM60N vs STD10P10F6
Esta comparação detalhada entre STD10NM60N e STD10P10F6 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
TO-252-3
TO-252-3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Series
MDmesh™ II
STripFET™ F6
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
600 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Tc)
10A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
550mOhm @ 4A, 10V
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
19 nC @ 10 V
16.5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
540 pF @ 50 V
864 pF @ 80 V
PowerDissipation(Max)
70W (Tc)
40W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
