TLC27L4CDR vs TLC271BIDR Comparação

Esta comparação detalhada entre TLC27L4CDR e TLC271BIDR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
TLC27L4CDR

+Lista de Materiais

6407 PCS | Texas Instruments
TLC271BIDR

+Lista de Materiais

4844 PCS | Texas Instruments
Pacote SOIC-8
Descrição IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Series LinCMOS™ LinCMOS™
Part Status Active Active
Amplifier Type CMOS General Purpose
Number of Circuits 4 1
Slew Rate 0.05V/µs 5.3V/µs
Gain Bandwidth Product 110 kHz 2.2 MHz
Current - Input Bias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage - Input Offset 1.1 mV 390 µV
Supply Current 57µA (x4 Channels) 950µA
Current - Output / Channel 30 mA 30 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 16 V 16 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : TLC27L4CDR TLC271BIDR

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