APT9M100B

Imagens apenas para referência

MOSFET N-CH 1000V 9A TO247

  • FabricanteTecnologia Microchip

  • Peça do Fabricante #APT9M100B

  • Em Estoque5925

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Microchip Technology
Package / Case Tube
Series POWER MOS 8™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.4Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2605 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 335W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247 [B]

Produtos relacionados a APT9M100B