Imagens apenas para referência
DMN2013UFX-7
+Lista de MateriaisMOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
-
FabricanteDiodes Incorporated
-
Peça do Fabricante #DMN2013UFX-7
-
Ficha Técnica DMN2013UFX-7 DataSheet
-
Pacote 6-VFDFN Exposed Pad
-
Em Estoque5818
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Diodes Incorporated |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FETFeature | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 10A (Ta) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 57.4nC @ 8V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2607pF @ 10V |
| Power-Max | 2.14W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 6-VFDFN Exposed Pad |
