Imagens apenas para referência
IPG20N06S4L14ATMA2
+Lista de MateriaisMOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
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FabricanteTecnologias Infineon
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Peça do Fabricante #IPG20N06S4L14ATMA2
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Ficha Técnica IPG20N06S4L14ATMA2 DataSheet
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Pacote VDFN-8
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Em Estoque8385
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 20A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 13.7mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2890pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
