IRF7102

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MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 120pF @ 25V
Power - Max 2W
Mounting Type Surface Mount

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