Imagens apenas para referência
IRF7351PBF
+Lista de MateriaisMOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
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FabricanteTecnologias Infineon
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Peça do Fabricante #IRF7351PBF
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Ficha Técnica IRF7351PBF DataSheet
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Pacote SOIC-8
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Em Estoque2610
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Tube |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 8A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 17.8mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1330pF @ 30V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
