RD3P08BBDTL

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RD3P08BBDTL

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MOSFET N-CH 100V 80A TO252

  • FabricanteSemiconductor de Rohm

  • Peça do Fabricante #RD3P08BBDTL

  • Em Estoque7418

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 80A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 11.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1940 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 119W (Ta)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252

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