RQ3E075ATTB

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RQ3E075ATTB

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MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

  • FabricanteSemiconductor de Rohm

  • Peça do Fabricante #RQ3E075ATTB

  • Em Estoque6740

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 23mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10.4 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 930 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-HSMT (3.2x3)

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