SCT040W65G3-4AG

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SCT040W65G3-4AG

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AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

  • FabricanteSTMicroeletrônica

  • Peça do Fabricante #SCT040W65G3-4AG

  • Em Estoque17978

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Part Status Active
Base Product Number SCT040
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5 nC @ 18 V
Vgs (Max) +18V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max) 240W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Grade Automotive
Qualification AEC-Q101
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4
Package / Case TO-247-4
Packaging Tube

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