SI5513DC-T1-E3

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SI5513DC-T1-E3

+Lista de Materiais

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

  • FabricanteVishay Siliconix

  • Peça do Fabricante #SI5513DC-T1-E3

  • Pacote 8-SMD, Flat Lead

  • Em Estoque4553

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.1A, 2.1A
RdsOn(Max)@IdVgs 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6nC @ 4.5V
Power-Max 1.1W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SMD, Flat Lead

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