SI5920DC-T1-E3

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SI5920DC-T1-E3

+Lista de Materiais

MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 8V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A
RdsOn(Max)@IdVgs 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 12nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 680pF @ 4V
Power-Max 3.12W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SMD, Flat Lead

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