SI7962DP-T1-E3

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SI7962DP-T1-E3

+Lista de Materiais

MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs 17mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Power - Max 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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