Imagens apenas para referência
SI8902EDB-T2-E1
+Lista de MateriaisMOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
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FabricanteVishay Siliconix
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Peça do Fabricante #SI8902EDB-T2-E1
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Ficha Técnica SI8902EDB-T2-E1 DataSheet
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Pacote 6-MICRO FOOT®CSP
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Em Estoque8627
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 3.9A |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 980µA |
| Power - Max | 1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
