SIA778DJ-T1-GE3

Imagens apenas para referência

SIA778DJ-T1-GE3

+Lista de Materiais

MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V, 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.5A, 1.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15nC @ 8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 500pF @ 6V
Power - Max 6.5W, 5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Produtos relacionados a SIA778DJ-T1-GE3