AUIRS2181STR vs AUIRS1170STR

Esta comparação detalhada entre AUIRS2181STR e AUIRS1170STR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
AUIRS2181STR

+Lista de Materiais

5680 PCS | Tecnologias Infineon
AUIRS1170STR

+Lista de Materiais

2241 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRIVER 200V 8SOIC
ProductStatus Active Active
Applications - Secondary-Side Controller
Voltage-Input - 200V
Voltage-Supply 10V ~ 20V 11V ~ 18V
Current-Supply - 45 mA
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -25°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType IGBT, N-Channel MOSFET -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A -
InputType Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V -
Rise/FallTime(Typ) 15ns, 15ns -
Modelo de comparação : AUIRS2181STR AUIRS1170STR

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