AUIRS2181STR vs AUIRS20161S

Esta comparação detalhada entre AUIRS2181STR e AUIRS20161S fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
AUIRS2181STR

+Lista de Materiais

5680 PCS | Tecnologias Infineon
AUIRS20161S

+Lista de Materiais

7589 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Series - Automotive, AEC-Q100
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side
ChannelType Independent Single
NumberofDrivers 2 1
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 4.4V ~ 6.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A 500mA, 500mA
InputType Inverting Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 150 V
Rise/FallTime(Typ) 15ns, 15ns 200ns, 200ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V -
Modelo de comparação : AUIRS2181STR AUIRS20161S

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