CSD17556Q5B vs CSD17308Q3

Esta comparação detalhada entre CSD17556Q5B e CSD17308Q3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification CSD17556Q5B CSD17308Q3
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 34A (Ta), 100A (Tc) 14A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.4mOhm @ 40A, 10V 10.3mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.65V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V 5.1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V +10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7020 pF @ 15 V 700 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 191W (Tc) 2.7W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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