FDG6301N vs FDG6314P

Esta comparação detalhada entre FDG6301N e FDG6314P fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification FDG6301N FDG6314P
Supplier - onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDG6301 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V -
Power - Max 300mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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