FDG6301N vs FDG6302P
Esta comparação detalhada entre FDG6301N e FDG6302P fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Descrição
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
Supplier
-
onsemi
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
140mA
RdsOn(Max)@IdVgs
-
10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
0.31nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
12pF @ 10V
Power-Max
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300mW
OperatingTemperature
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-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
FDG6301
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration
2 N-Channel (Dual)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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