FDG6301N vs FDG6313N
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Pacote
Descrição
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Supplier
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Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
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Active
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
FDG6301
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration
2 N-Channel (Dual)
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FET Feature
Logic Level Gate
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Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
220mA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 10V
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Power - Max
300mW
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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