FDG6306P vs FDG6321C

Esta comparação detalhada entre FDG6321C e FDG6306P fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
FDG6321C

+Lista de Materiais

12407 PCS | onsemi
FDG6306P

+Lista de Materiais

20835 PCS | onsemi
Pacote 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Descrição MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Supplier onsemi onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 500mA, 410mA 600mA
RdsOn(Max)@IdVgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.3nC @ 4.5V 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50pF @ 10V 114pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series - PowerTrench®
Modelo de comparação : FDG6321C FDG6306P

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