FDG6316P vs FDG6332C
Esta comparação detalhada entre FDG6316P e FDG6332C fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
TSSOP-6
Descrição
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N and P-Channel
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
700mA, 600mA
RdsOn(Max)@IdVgs
-
300mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
1.5nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
113pF @ 10V
Power-Max
-
300mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDG6316
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 P-Channel (Dual)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 700mA, 4.5V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
