FDG6316P vs FDG6332C-PG

Esta comparação detalhada entre FDG6316P e FDG6332C-PG fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Descrição MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88 MOSFET N P-CH 20V SC70-6
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus - Obsolete
FETType - N and P-Channel Complementary
FETFeature - Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 700mA (Ta), 600mA (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs - 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id - 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power-Max - 300mW (Ta)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Part Status Obsolete -
Base Product Number FDG6316 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 P-Channel (Dual) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 700mA, 4.5V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Modelo de comparação : FDG6316P FDG6332C-PG

+Lista de Materiais RFQ