FDG6306P vs FDG6332C-PG

Esta comparação detalhada entre FDG6306P e FDG6332C-PG fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
FDG6306P

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20835 PCS | onsemi
Pacote 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Descrição MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 MOSFET N P-CH 20V SC70-6
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel Complementary
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 600mA 700mA (Ta), 600mA (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 114pF @ 10V 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : FDG6306P FDG6332C-PG

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